Publicação
Medida de tempos de vida em silício: estudo comparativo de duas técnicas de medida
| dc.contributor.advisor | Serra, João Manuel de Almeida, 1958- | |
| dc.contributor.author | Caeiro, Ana Rita Cabrita, 1987- | |
| dc.date.accessioned | 2013-07-03T16:58:20Z | |
| dc.date.available | 2013-07-03T16:58:20Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description | Tese de mestrado integrado em Engenharia da Energia e do Ambiente , apresentada à Universidade de Lisboa, através da Faculdade de Ciências, 2011 | por |
| dc.description.abstract | As medidas dos tempos de vida efectivos, dos portadores minoritários de carga, dão uma informação importante na caracterização de materiais em aplicações fotovoltaicas. Estas medidas permitem que as wafers de má qualidade sejam identificadas e removidas das linhas de produção numa fase inicial do processo de fabrico de células solares. Os dois instrumentos de medida utilizados, WCT-120 da Sinton Instruments e o WT-1000 da Semilab Semiconductors, permitem medir o tempo de vida efectivo dos portadores minoritários e são baseados em medidas da fotocondutância. Por essa razão, estão sujeitos aos efeitos dos centros de recombinação das wafers, levando a medidas aparentes que não representam o tempo de vida dos portadores minoritários em volume. No sentido de mitigar o efeito de recombinação à superfície, utilizam-se métodos de passivação. Estes métodos reduzem a velocidade de recombinação à superfície. Se o método de passivação for eficaz, o tempo de vida efectivo medido é aproximadamente igual ao tempo de vida em volume. Com o objectivo de comparar os dois sistemas, fizeram-se medidas de tempos de vida por variação de espessura das amostras e por passivação da superfície. Em ambos, estimou-se a velocidade de recombinação à superfície. Pela comparação com uma medida de referência, concluiu-se que ambos os sistemas estão operacionais e que dão valores confiáveis para medidas em wafers de silício monocristalino. Menores discrepâncias entre os dois sistemas são obtidas quando se passiva a superfície das amostras. | por |
| dc.description.abstract | Effective lifetime measurements of minority carriers are immensely important in material characterization for photovoltaic applications. These measurements help us in identifying low quality wafers, and therefore removing them from the production line in the initial stages of the manufactoring process. The two instruments used, Sinton Instruments WCT-120 and Semilab Semiconductors WT-1000, are able to measure effective lifetime based on photoconductance measurements. Due to this fact, these measurements are influenced by wafer recombination centers which lead to apparent lifetime measurements that do not represent the bulk lifetime. In order to minimize the surface recombination effects, methods of passivation are used. These methods reduce the surface recombination velocity. If these methods of passivation are effective, the lifetime measured is approximate to bulk lifetime. With the final goal of comparing the two instruments, measurements of lifetime were obtained varying the thickness of the samples and also passivating the surface. Surface recombination velocity was estimated in both cases. Through the use of a reference measurement, it was concluded that both instruments were operational and return trustable values of lifetime measurements for monocrystalline silicon wafers. Fewer discrepancies between the two instruments are obtained when surface passivation is used. | por |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10451/8731 | |
| dc.language.iso | por | por |
| dc.subject | Tempo de vida | por |
| dc.subject | uW-PCD | por |
| dc.subject | QSSPC | por |
| dc.subject | Silício | por |
| dc.subject | Teses de mestrado - 2011 | por |
| dc.title | Medida de tempos de vida em silício: estudo comparativo de duas técnicas de medida | por |
| dc.type | master thesis | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| rcaap.rights | openAccess | por |
| rcaap.type | masterThesis | por |