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http://hdl.handle.net/10451/49139| Título: | Measuring strain caused by ion implantation in GaN |
| Autor: | Mendes, P. Lorenz, K. Alves, E. Schwaiger, S. Scholz, F. Magalhães, S. |
| Data: | Ago-2019 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10451/49139 |
| DOI: | 10.1016/j.mssp.2019.04.001 |
| ISSN: | 1369-8001 |
| Aparece nas colecções: | CIÊNCIAVITAE(em fase de teste) |
Ficheiros deste registo:
| Ficheiro | Descrição | Tamanho | Formato | |
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| paper_EMRS_2018_Fall_final.pdf | 1,05 MB | Adobe PDF | Ver/Abrir |
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